特許

J-GLOBAL ID：200903052081615107

固体撮像素子のMISトランジスタとその製造方法

発明者： 内村 浩一郎 ,  鈴木 順也
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-179469
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347395
出願日： 1992年06月13日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板1の表面部のウエル2に形成されソース3、ドレイン4の下部にパンチスルー防止領域5s、5dを設けた縦型オーバーフロードレイン型固体撮像素子のMISトランジスタのパンチスルーとニュートラル化を共に防止する。【構成】 ドレイン下部のパンチスルー防止領域を、その内側(チャンネル側)端縁がソース下部のパンチスルー防止領域の内側端縁よりもゲート電極中心に近くなるように形成する。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板表面部の第2導電型ウエルに形成され第1導電型ソース、ドレインの下部に第2導電型で上記ウエルよりも高い不純物濃度のパンチスルー防止領域を備えた縦型オーバーフロードレイン型の固体撮像素子のMISトランジスタにおいて、ドレイン下部のパンチスルー防止領域が、その内側(チャンネル側)端縁がソース下部のパンチスルー防止領域の内側端縁よりもゲート電極中心に近くなるように形成されていることを特徴とする固体撮像素子のMISトランジスタ

IPC (2件)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭61-242081
  
• 特開昭63-029588
  
• 特開昭56-126970
  
• 特開昭62-155565
  
• 特開平2-082649