特許

J-GLOBAL ID：200903052085867712

半導体装置の製造方法

発明者： 平岡 佳子 ,  真下 正夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-105021
公開番号（公開出願番号）：特開平5-299352
出願日： 1992年04月24日
公開日（公表日）： 1993年11月12日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明は良質な化合物半導体膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 有機金属化合物を原料として用いる化合物半導体膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、原料はHラジカルと混合して使用することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

MOCVD法によりその原料に水素ラジカルを混合して化合物半導体膜を形成する工程を含む半導体装置の製造方法。