特許

J-GLOBAL ID：200903052086858490

物体をエピタキシャル成長させる方法及びそのような成長のための装置

発明者： コルディナ,オルレ ,  ハリン,クリステル ,  ヤンツェン,エリク ,  ベハーネン,アスコ ,  ヤキモバ,ロジツア ,  ツオミネン,マルコ
出願人/特許権者： エービービー リサーチ リミテッド ,  オクメティック リミテッド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-514192
公開番号（公開出願番号）：特表平11-513352
出願日： 1996年10月02日
公開日（公表日）： 1999年11月16日
要約：

【要約】SiC、第III族窒化物、又はそれらの合金、の物体を、取り巻く壁(8)を有するサセプタ(7)に入れた基体(13)上にエピタキシャル成長させる方法において、これらの壁を加熱し、それにより前記基体及び成長用ソース材料(24)を、その成長材料の昇華がかなり増大し始める温度水準より高く加熱する。キャリヤーガス流をサセプタ中の基体の方へ供給し、ソース材料を基体の方へ運んでそれを成長させる。前記ソース材料の少なくとも一部分(24)を、サセプタ(7)を有する容器中で成長材料として固体で与え、前記ソース材料部分を前記容器中で加熱することにより蒸気状態にし、前記キャリヤーガス流により蒸気状態で前記基体の方へ運び、そこで成長させる。

請求項（抜粋）：

a)SiC、b)第III族窒化物、及びc)それらの合金、のいずれかからなる物体(19)を、取り巻く壁(8)を有するサセプタ(7)に入れた基体(13)上にエピタキシャル成長させる方法であって、前記壁を加熱し、それにより前記基体及び成長用ソース材料を、その成長材料の昇華がかなり増大し始める温度水準より高く加熱し、そしてキャリヤーガス流をサセプタ中の前記基体の方へ供給し、前記ソース材料を前記基体の方へ運んでそれを成長させるエピタキシャル成長法において、前記ソース材料の少なくとも一部分(24)を、前記サセプタ(7)を有する容器中で成長材料として固体で与え、前記ソース材料部分を前記容器中で加熱することにより蒸気状態にし、前記キャリヤーガス流により蒸気状態で前記基体の方へ運び、そこで成長させることを特徴とするエピタキシャル成長方法。