特許

J-GLOBAL ID：200903052089196812

高圧環境下極小電極ギャッププラズマ発生装置

発明者： 寺嶋 和夫 ,  フォバルド=ルーカス ,  ヘフカ=ヘンリー
出願人/特許権者： 寺嶋 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-139806
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306499
出願日： 1995年04月28日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：

【要約】【目的】材料合成などに広くもちいられている現在のプラズマは、その大きさが、数mmから数十cmの大きさを持つため、そのナノメータースケールの材料合成、処理といった局所的材料プロセシグへの応用においては、レジストやマスクの必要性など、数々の制限を受け、その解決策が望まれている。本発明は、以上の制約、限界を凌駕するプラズマの発生、および、そのプロセシングへの応用を目的とする。【構成】高圧容器内に収められ、適当な高圧ガス環境下で、機械的、ピエゾアクチュエーターのうちの一つ、あるいは、複数の方法により、電極間距離を10nmから50μmの範囲で精密制御した、極小電極ギャップ間に発生させた、μm、nmスケールの大きさをもつプラズマ、および、その発生装置。但し、電極間距離D、作動圧力Pは、以下の関係式に従う。10nm ≦ D ≦ 50μm,1[気圧・μm]/D ≦ P ≦ 1000[気圧・μm]/Dまた、本装置を用いた、プラズマ反応、および、成膜、エッチング、表面処理を含む表面改質などのプラズマ材料プロセシングへの応用。

請求項（抜粋）：

高圧容器内に収められ、固定式、あるいは、機械的、または、ピエゾアクチュエーターの中の一つ、または複数の方法により、プラズマ発生電極間距離を10nmから50μmの極小領域で制御し、適当な高圧ガス条件下で放電プラズマを発生させる高圧環境下極小電極ギャッププラズマ発生装置。但し、電極間距離D、作動圧力Pは、以下の関係式に従う。10nm ≦ D ≦ 50μm,1[気圧・μm] /D≦ P ≦ 1000[気圧・μm]/D

IPC (5件)：

H05H 1/00 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

FI (5件)：

H05H 1/00 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 A ,  H01L 21/302 C