特許

J-GLOBAL ID：200903052090675473

半導体装置及びその製造方法

発明者： 横山 夏樹 ,  本間 喜夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-204486
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008139
出願日： 1987年01月14日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【構成】減圧化学気相成長法を用いて試料上に、底部がチタンであって、その上が窒化チタンである膜を形成する。【効果】試料上にカバレッジが優れたバリア層を形成し、しかる後上記バリア層上にLPCVD法により良質のアルミニウム膜を再現性よく形成することができる。また、基板上に形成された絶縁膜の開口部に、上記窒化チタン膜を形成することによって、コンタクト抵抗の低減をはかることが可能となる。

請求項（抜粋）：

基体上に形成された開口部を有する絶縁膜と、前記開口部に形成され、底部がチタンであり前記チタン上に窒化チタンが形成された膜である第1の導電膜と、前記第1の導電膜に積層して形成された第2の導電膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/43

FI (5件)：

H01L 21/90 D ,  H01L 21/285 301 R ,  H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 N ,  H01L 29/46 R

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-174319
  
• 特開昭61-035517
  
• 特開昭52-030392
  
• 特開昭61-245523