MOSトランジスタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-202319
公開番号（公開出願番号）：特開平6-267972
出願日： 1991年07月18日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】高耐圧でホットエレクトロンに対しても高耐圧性の微細な構造のMOSトランジスタを得ることを目的とする。【構成】ゲート用ポリシリコンを2層構造とした場合の下部ポリシリコン層に、あるいは単層構造とした場合のポリシリコン層にリン又はヒ素を高濃度にドープし、不純物濃度依存性を利用した側壁酸化膜を形成し、イオン注入することにより低濃度ドレインと高濃度ドレインを自己整合的に形成する方法である。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の素子形成領域の表面に形成したゲート酸化膜上にポリシリコン層を堆積し、該ポリシリコン層はノンドープかあるいは不純物をドープし、該ポリシリコン層上に酸化及びイオン注入用マスク膜を堆積し、ゲート領域のパターニングを行ない、該酸化及びイオン注入用マスク膜をマスクにイオン注入し低濃度領域を形成し、700〜1200°Cで上記ポリシリコン層の側壁を酸化し、該酸化膜をマスクにイオン注入し高濃度領域を形成することを特徴とするMOSトランジスタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/336 , H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭63-073667
特開昭54-018684

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