特許
J-GLOBAL ID：200903052093009555
窒化物半導体レーザ素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小野 由己男
, 堀川 かおり
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-354785
公開番号（公開出願番号）：特開2006-165277
出願日： 2004年12月08日
公開日（公表日）： 2006年06月22日
要約：
【課題】安定的かつ強力に光を閉じ込めることにより、アスペクト比の最適化、遠視野像等を図るとともに、閾値を抑えて、高性能で高信頼性を実現することができる窒化物半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】第1導電型窒化物半導体層11と、Inを含有する活性層12と、第2導電型窒化物半導体層13とをこの順に備えてなる窒化物半導体レーザ素子であって、第2導電型窒化物半導体層13内にIn含有層14を有し、かつ第2導電型窒化物半導体層13表面にストライプ状のリッジ15を備えており、少なくともリッジ15の側面においてIn含有層14が露出している窒化物半導体レーザ素子。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型窒化物半導体層と、Inを含有する活性層と、第2導電型窒化物半導体層とをこの順に備えてなる窒化物半導体レーザ素子であって、
前記第2導電型窒化物半導体層に、表面側から第2導電型不純物含有層とIn含有層とをこの順に有し、かつ前記第2導電型窒化物半導体層表面にストライプ状のリッジを備えており、少なくとも該リッジの側面において前記In含有層が露出していることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (18件)：
5F173AA08
, 5F173AF35
, 5F173AF55
, 5F173AH22
, 5F173AH49
, 5F173AL07
, 5F173AL13
, 5F173AL14
, 5F173AP05
, 5F173AP09
, 5F173AP32
, 5F173AP33
, 5F173AP62
, 5F173AP78
, 5F173AP79
, 5F173AR15
, 5F173AR33
, 5F173AR56
出願人引用 (2件)
-
ICNS'97 予稿集、October 27-31,1997,P444-446
-
Jpn.J.Appl.Phys.Vol.36(1997)pp.L1568-1571,Part2,No.12A,1 December 1997
審査官引用 (7件)
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