特許

J-GLOBAL ID：200903052094273540

III族窒化物半導体の製造方法および半導体装置の製造方法

発明者： 吉澤 正樹
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-329137
公開番号（公開出願番号）：特開2001-148543
出願日： 1999年11月19日
公開日（公表日）： 2001年05月29日
要約：

【要約】【課題】 基板上に転位を発生していないIII族窒化物半導体層を形成して、発光素子の性能向上や長寿命化を図る。【解決手段】 エピタキシャル成長によって基板11上に第1のIII族窒化物半導体層12を形成する工程と、その第1のIII族窒化物半導体層12の所定の位置を残して他の部分を除去する工程と、エピタキシャル成長によって前記残した第1のIII族窒化物半導体層12より前記除去した領域に第2のIII族窒化物半導体層14を結晶成長させて形成する工程と、前記第2のIII族窒化物半導体層14の所定の位置を残して前記残っている第1のIII族窒化物半導体層12を少なくとも除去する工程と、エピタキシャル成長によって前記残した第2のIII族窒化物半導体層14より前記除去した領域に第3のIII族窒化物半導体層16を結晶成長させて形成する工程とを備えた製造方法である。

請求項（抜粋）：

エピタキシャル成長によって基板上に第1のIII族窒化物半導体層を形成する工程と、前記第1のIII族窒化物半導体層の所定の位置を残して他の部分を除去する工程と、エピタキシャル成長によって前記残した第1のIII族窒化物半導体層より前記除去した領域に第2のIII族窒化物半導体層を形成する工程と、前記第2のIII族窒化物半導体層の所定の位置を残して前記残っている第1のIII族窒化物半導体層を少なくとも除去する工程と、エピタキシャル成長によって前記残した第2のIII族窒化物半導体層より前記除去した領域に第3のIII族窒化物半導体層を形成する工程とを備えたことを特徴とするIII族窒化物半導体の製造方法。

IPC (5件)：

H01S 5/323 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 33/00

FI (5件)：

H01S 5/323 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/302 F

Fターム (53件)：

5F004AA06 ,  5F004BA04 ,  5F004CA02 ,  5F004CA04 ,  5F004DA00 ,  5F004DA04 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB19 ,  5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AE29 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045DA53 ,  5F045DA61 ,  5F045DA67 ,  5F045DB02 ,  5F052GB01 ,  5F052GB04 ,  5F052GB09 ,  5F052GC01 ,  5F052GC06 ,  5F052GC10 ,  5F052HA01 ,  5F052JA10 ,  5F052KA01 ,  5F073AA45 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29