特許
J-GLOBAL ID：200903052101121149
半導体結晶製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
平田 忠雄
, 角田 賢二
, 岩永 勇二
, 中村 恵子
, 遠藤 和光
, 野見山 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-031581
公開番号（公開出願番号）：特開2009-190914
出願日： 2008年02月13日
公開日（公表日）： 2009年08月27日
要約：
【課題】高品質な半導体結晶を再現性よく得ることのできる半導体結晶成長方法および転位密度の均一な半導体結晶を提供する。【解決手段】半導体結晶成長方法は、半導体の種結晶30と半導体の原料とを収容した容器20を加熱して、原料を半導体融液34とする原料融解工程と、容器20の種結晶30側の一端30aを、種結晶30を収容している側とは反対側の容器20の他端20aよりも低温に保持する温度保持工程と、種結晶30側の半導体融液34の温度の降下量を、他端20a側の半導体融液34の温度の降下量よりも少なくした状態で半導体融液34の温度を降下させて、種結晶30側から容器20の他端20aに向けて半導体融液34を徐々に固化させる結晶成長工程とを備える。【選択図】図2A
請求項（抜粋）：
半導体の種結晶と前記半導体の原料とを収容した容器を加熱して、前記原料を半導体融液とする原料融解工程と、
前記容器の前記種結晶側の一端を、前記種結晶を収容している側とは反対側の前記容器の他端よりも低温に保持する温度保持工程と、
前記種結晶側の前記半導体融液の温度の降下量を、前記他端側の前記半導体融液の温度の降下量よりも少なくした状態で前記半導体融液の温度を降下させて、前記種結晶側から前記容器の前記他端に向けて前記半導体融液を徐々に固化させる結晶成長工程と
を備える半導体結晶成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (16件)：
4G077AA02
, 4G077BE46
, 4G077CD04
, 4G077CD10
, 4G077EA01
, 4G077EG01
, 4G077EG16
, 4G077EG18
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077MA01
, 4G077MB07
, 4G077MB08
, 4G077MB14
, 4G077MB23
, 4G077MB33
