特許
J-GLOBAL ID：200903052104713250
p型ダイヤモンド半導体
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工業技術院電子技術総合研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-349051
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189939
出願日： 1996年12月26日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【解決手段】ダイヤモンド半導体中に、Si原子を不純物として添加したことを特徴とするp型ダイヤモンド半導体。【効果】本願発明者らの得た理論的な考察に基づいて従来では考えられなかったSi原子をアクセプターとして良好なp型ダイヤモンド半導体を得ることができた。
請求項（抜粋）：
ダイヤモンド半導体中に、Si原子を不純物として添加したことを特徴とするp型ダイヤモンド半導体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/167
, C30B 29/04 V
