窒化物半導体厚膜基板

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行 , 荒川伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-080155
公開番号（公開出願番号）：特開2009-158969
出願日： 2009年03月27日
公開日（公表日）： 2009年07月16日
要約：

【課題】複数の窒化物半導体層を含む発光素子構造を成長させるために望ましい窒化物半導体厚膜基板を提供し、ひいてはその基板を用いて優れた特性を有する窒化物半導体発光装置を提供する。【解決手段】複数の窒化物半導体層を含む発光素子構造を成長させるための窒化物半導体厚膜基板であって、基板は対向する第1と第2の主面を有し、基板の第1主面は3×1018cm-3以上1×1019cm-3以下の高不純物濃度の第1の層領域で形成されており、基板は3×1018cm-3以下1×1017cm-3以上でかつ第1層領域より低い低不純物濃度の第2の層領域をも少なくとも含み、基板の第1主面はその上に前記発光素子構造を成長させるための面であり、発光素子構造の形成後に第1主面の側で部分的に露出される基板の領域が電極を形成するための領域として使用されることを特徴とする。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

複数の窒化物半導体層を含む発光素子構造を成長させるための窒化物半導体厚膜基板であって、前記基板は対向する第1と第2の主面を有し、前記基板の第1主面は、3×1018cm-3以上1×1019cm-3以下の高不純物濃度の第1の層領域で形成されており、前記基板は、3×1018cm-3以下1×1017cm-3以上でかつ前記第1層領域より低い低不純物濃度の第2の層領域をも少なくとも含み、前記基板の第1主面はその上に前記発光素子構造を成長させるための面であり、前記発光素子構造の形成後に前記第1主面の側で部分的に露出される前記基板の領域が電極を形成するための領域として使用されることを特徴とする窒化物半導体厚膜基板。

IPC (2件)：

H01S 5/343 , H01L 21/20

FI (2件)：

H01S5/343 610 , H01L21/20

Fターム (21件)：

5F152LL03 , 5F152LL05 , 5F152LN02 , 5F152LN12 , 5F152MM08 , 5F152MM09 , 5F152MM10 , 5F152MM18 , 5F152NN09 , 5F152NN13 , 5F152NN27 , 5F152NP09 , 5F152NP13 , 5F152NQ09 , 5F173AA08 , 5F173AH22 , 5F173AJ04 , 5F173AJ13 , 5F173AP04 , 5F173AP33 , 5F173AQ02

前のページに戻る