特許

J-GLOBAL ID：200903052110302210

磁性薄膜メモリおよびその記録または再生方法

発明者： 深見 達也 ,  田口 元久 ,  川野 裕司 ,  堤 和彦
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-086175
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302184
出願日： 1993年04月13日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【構成】 少なくとも2種の磁性層5a,5bが非磁性層5cを介して交換結合相互作用により結合するように積層されたMR磁性層5からなるメモリ素子。前記メモリ素子がマトリックス状に並べられて、縦または横方向に並ぶメモリ素子がセンス線により直列に接続され、該センス線と交差する方向に並ぶ前記メモリ素子の列に近接してワード線が配列されることにより、ワード線とセンス線の電流によりその交差部のメモリ素子に記録再生が行われる磁性薄膜メモリが構成される。【効果】 大きな振幅信号がえられ、SN比が大幅に向上し、再生時のアクセス速度およびデータ転送速度を著しく改善できる。

請求項（抜粋）：

保磁力が大きい磁性材料と保磁力が小さい磁性材料とからなる少なくとも2種類の磁性層が、非磁性層を介して交換結合相互作用により結合するように積層されてなる磁性薄膜メモリ素子。