特許

J-GLOBAL ID：200903052115130000

半導体装置,及びその製造方法

発明者： 山本 陽祐
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-014080
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213831
出願日： 1996年01月30日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 レーザダイオードマウント領域とワイヤボンド領域との間での電極の断線が生じない半導体装置,及びそのような半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】 レーザダイオード8をシリコン基板100にマウントしてなる半導体装置において、シリコン基板100の表面に異方性エッチングにより深さ20〜150μmの溝1を形成し、この溝1の底部において、レーザダイオードがマウントされるべきレーザダイオードマウント領域6とワイヤがボンディングされるべきワイヤボンド領域4とを含む領域に電極3を形成し、この電極3の表面の上記レーザダイオードマウント領域6に半導体素子8をマウントし、この電極3の表面の上記ワイヤボンド領域4にワイヤ5をボンディングする。

請求項（抜粋）：

その表面に異方性エッチングにより形成された深さ20〜150μmの溝を有するシリコン基板と、上記溝の底部において、半導体素子がマウントされるべき素子領域とワイヤがボンディングされるべきワイヤボンド領域とを含む領域に形成された電極と、該電極の表面の上記素子領域にマウントされた半導体素子と、該電極の表面の上記ワイヤボンド領域にボンディングされたワイヤとを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/14 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 23/12 F ,  H01L 33/00 N ,  H01L 23/12 W ,  H01L 23/14 S