特許

J-GLOBAL ID：200903052116899332

半導体装置の製造方法

発明者： 海田 孝行 ,  秋月 誠 ,  青江 弘行 ,  米田 清 ,  豆野 和延
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-305398
公開番号（公開出願番号）：特開平5-074764
出願日： 1991年10月23日
公開日（公表日）： 1993年03月26日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、LOCOSにより素子分離絶縁膜を形成する際、半導体酸化膜からなるパッド層と耐酸化マスクとの間に多結晶半導体膜からなるバッファ層を挟むことで生じていた素子分離領域表面の凹凸及び素子形成活性領域のエグレ発生を低減する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 半導体基板1上の少なくとも耐酸化膜形成予定領域に、半導体酸化膜からなるパッド層2及び非晶質半導体膜からなるバッファ層3を順次積層形成する工程と、前記バッファ層3上に、耐酸化膜4を選択配置に形成し、半導体領域を選択的に酸化する工程と、前記耐酸化膜4及びバッファ層3の不要領域を除去する工程と、を順に備えたフィールド酸化膜5を形成するフィールド酸化による素子分離技術に関する半導体装置の製造方法であって、フィールド酸化膜5の形成後、耐酸化膜4及びバッファ層3の不要領域が除去されるまで、それは非晶質状態のままであること、あるいは、バッファ層3の形成後の工程により、それが結晶化することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体領域を選択的に酸化して素子分離領域を形成する半導体装置の製造方法において、半導体基板上の耐酸化膜形成予定領域に半導体酸化膜からなるパッド層を形成する工程と、前記パッド層上に非晶質半導体膜からなるバッファ層を積層形成する工程と、前記バッファ層上に前記耐酸化膜を選択配置に形成する工程と、前記耐酸化膜に覆われていない半導体領域を選択的に酸化してフィールド酸化膜を形成する工程と、前記耐酸化膜及びバッファ層を除去する工程と、を順次に備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/76

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-052433
  
• 特開昭59-208743
  
• 特開平3-034425