特許
J-GLOBAL ID：200903052117174951
エピタキシャル成長方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寒川 誠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-316289
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162127
出願日： 1995年12月05日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：
【要約】【課題】 単一のSi基板上の一部領域にGaNとAlGaNまたはInGaNとGaNとの積層体を形成し、他の領域にGaAsとAlGaAsまたはInGaAsとGaAsとの積層体を形成するエピタキシャル成長方法を提供することにある。【解決手段】 GaNとAlGaNまたはInGaNとGaNとの積層体の一部領域が除去されて露出しているSi基板上に、Ga源としてトリメチルガリウムを使用し、ヒ素源としてトリスジメチルアミノアルシンを使用して、第1のGaAs層を形成し、Al源としてジメチルアルミニウムハイドライドを使用し、In源としてトリメチルインジュウムを使用し、Ga源としてトリメチルガリウムを使用し、ヒ素源としてトリスジメチルアミノアルシンを使用して、第1のGaAs層の上にAlGaAs層またはInGaAs層を形成し、Ga源としてトリメチルガリウムを使用し、ヒ素源としてトリスジメチルアミノアルシンを使用して、AlGaAs層またはInGaAs層の上に第2のGaAs層を形成する工程を有するエピタキシャル成長方法である。
請求項（抜粋）：
Ga源としてメタルガリウムまたはトリエチルガリウムもしくはトリメチルガリウムを使用し、N源としてジメチルヒドラジンを使用して、Si基板上に第1のGaN層を形成し、Al源としてジメチルエチルアミンアランまたはトリエチルアルミニウムを使用し、Ga源としてトリエチルガリウムまたはトリメチルガリウムを使用し、N源としてジメチルヒドラジンを使用して、前記第1のGaN層の上にAlGaN層を形成し、Ga源としてメタルガリウムまたはトリエチルガリウムもしくはトリメチルガリウムを使用し、N源としてジメチルヒドラジンを使用して、前記AlGaN層の上に第2のGaN層を形成することを特徴とするGaNとAlGaNとGaNとの積層体の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205
, H01L 21/302
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
, H01L 21/302 Z
