特許

J-GLOBAL ID：200903052117979526

レーザーにより切断されるヒューズ用の保護層を有する集積回路および該集積回路の製造方法

発明者： マーティン ガル ,  アレクサンダー エル ミトヴァルスキー ,  ベッティナ ディンケル
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-180594
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074364
出願日： 1998年06月26日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】 少なくとも2つのヒューズが小さな間隔で隣接し、隣接するヒューズのいずれをも損傷することなく、容易に、選択的に1つのヒューズを切断可能な集積回路およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 複数の隣接したヒューズを有する集積回路において、前記複数のヒューズは、保護層を有する第1のヒューズを含み、前記保護層は、前記第1のヒューズの少なくとも一部分に配置されるレーザーエネルギーに対して実質的に耐性であり、少なくとも前記第1のヒューズ上にレーザーエネルギーの照射を行う際には、前記保護層が、前記第1のヒューズの前記保護層によって覆われた前記部分を保護する。

請求項（抜粋）：

複数の隣接したヒューズを有する集積回路において、前記複数のヒューズは、保護層を有する第1のヒューズを含み、前記保護層は、前記第1のヒューズの少なくとも一部分に配置されるレーザーエネルギーに対して実質的に耐性であり、少なくとも前記第1のヒューズ上にレーザーエネルギーの照射を行う際には、前記保護層が、前記第1のヒューズの前記保護層によって覆われた前記部分を保護することを特徴とする集積回路。

IPC (4件)：

H01L 21/82 ,  H01H 85/046 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 21/82 F ,  H01L 27/04 H ,  H01H 85/04