特許

J-GLOBAL ID：200903052121296107

半導体製造装置および半導体装置の製造方法

発明者： 山下 三郎
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 児玉 俊英
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-105938
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291761
出願日： 2000年04月07日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウエハの処理の均一性の向上を図ることができる半導体製造装置を得ることを目的とする。【解決手段】 半導体ウエハ12の処理を行うための処理炉7と、処理炉7内に鉛直方向に設置された支柱8と、支柱8の鉛直方向の複数箇所に支柱8に水平に設置され、半導体ウエハ12を立てて支持可能な支持部9、10、11とを備えた半導体製造装置において、各支持部のうち、支柱8の鉛直方向において隣接する支持部9、10および10、11同士は、各支持部に支持されている半導体ウエハ12の平面方向が互いに異なるように、各支持部の取付向きが互いに異なるように形成されていものである。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハの処理を行うための処理炉と、上記処理炉内に鉛直方向に設置された支柱と、上記支柱の鉛直方向の複数箇所に上記支柱に水平に設置され、上記半導体ウエハを立てて支持可能な支持部とを備えた半導体製造装置において、上記各支持部のうち、上記支柱の鉛直方向において隣接する支持部同士は、上記各支持部に支持されている上記半導体ウエハの平面方向が互いに異なるように、上記各支持部の取付向きが互いに異なるように形成されていることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (5件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/22 511 ,  H01L 21/324

FI (5件)：

H01L 21/68 N ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 G ,  H01L 21/22 511 G ,  H01L 21/324 Q

Fターム (11件)：

5F031CA02 ,  5F031FA09 ,  5F031HA42 ,  5F031HA45 ,  5F031HA80 ,  5F031MA28 ,  5F045BB03 ,  5F045DP20 ,  5F045DQ05 ,  5F045EM08 ,  5F045EM10