特許
J-GLOBAL ID：200903052123232602
半導体基板の処理方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-052574
公開番号（公開出願番号）：特開平8-172067
出願日： 1995年03月13日
公開日（公表日）： 1996年07月02日
要約：
【要約】【目的】 P型とN型高濃度半導体基板の加工特性の差異を緩和する。【構成】 全基板を希釈HF水溶液により洗浄し、Pc、Ncが示す高濃度P型基板、高濃度N型基板はH2 とN2 の混合ガスのプラズマにさらした後に洗浄を行う。プラズマ照射により電気的な不活性化が行われた高濃度基板の特性は、P型、N型共に低濃度基板に近くなる。Pb、Nbが示す不活性化が行われていない高濃度基板に比べて、洗浄による水素終端表面の形成が容易になっていることが分かる。このように不活性化で基板の実効的なドープ量を低濃度基板と同程度まで低下させることにより、P型とN型高濃度基板の加工特性の差異を低減することができる。
請求項（抜粋）：
少なくとも水素原子を含有するガスを励起させたプラズマ雰囲気に半導体基板をさらして基板表面を不活性化する工程と、この不活性化処理が行われた基板表面に加工処理を行う工程と、この加工処理が行われた基板表面を活性化するために、半導体基板を加熱する工程とを有することを特徴とする半導体基板の処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/205
, H01L 21/324
