特許

J-GLOBAL ID：200903052123727830

半導体装置およびその製造方法

発明者： 高田 佳史
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-186611
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037190
出願日： 1992年07月14日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】 断線が生じ難く、かつ高集積化に適した配線層の接続構造を提供する。【構成】 第1金属配線層2、3が所定の幅を有して延びている。層間絶縁層5は、第1金属配線層2、3の表面を多い、かつ第1金属配線層2、3の一部表面を露出させる貫通孔を有している。スタッド1は、第1金属配線層2、3の表面に接するように貫通孔を充填し、かつ層間絶縁層5の表面と連続した表面を有している。第2金属配線層4は、スタッド1と層間絶縁層5の上に形成されている。第1金属配線層2、3と接する部分においては、スタッド1は、第1金属配線層と整列されて同一の幅を有している。

請求項（抜粋）：

所定の幅を有して延びる第1の配線層と、前記第1の配線層の表面を多い、かつ前記第1の配線層の一部表面を露出させる貫通孔を有する絶縁層と、前記第1の配線層の表面に接するように前記貫通孔を充填し、かつ前記絶縁層の表面と連続した表面を有する導電層と、前記導電層と前記絶縁層の上に形成された第2の配線層とを備えた半導体装置であって、前記第1の配線層と接する部分において、前記導電層は前記第1の配線層と整列されて同一の幅を有する半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/44

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-076457
  
• 特開昭63-076350
  
• 特開昭61-219158