特許
J-GLOBAL ID：200903052123932078
埋込プラグの形成方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-071908
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283607
出願日： 1993年03月30日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 良質な層間絶縁膜にヴィア孔を形成し、選択性よくプラグ形成が行える埋込プラグの形成方法を提供する。【構成】 Si基板11上にSiO2 膜12、下層配線金属膜13が形成される。次に、TEOSとO2 とを原料にしたPCVD法により下地絶縁膜14が形成される。次に、下地絶縁膜14の表面がエタノール処理された後、TEOSとO3 とを原料にしたAPCVD法により、絶縁膜15が形成される。次に、エッチバックされた絶縁膜15上に、PCVD法によって上層絶縁膜16が形成される。次に、所定箇所に微細なヴィア孔17が形成され、その後、選択CVDによってヴィア孔17の内部に金属膜が選択堆積され、埋込プラグ18が形成される。
請求項（抜粋）：
配線金属膜を形成して所定形状にパターニングする工程と、パターニングされた前記配線金属膜上に薄い下地絶縁膜を形成する工程と、TEOSとオゾンとを用いた化学気相成長法によって前記下地絶縁膜上に所定厚の絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜および前記下地絶縁膜の一部を除去して前記配線金属膜が一部露出するヴィア孔を形成する工程と、化学気相成長法によりこのヴィア孔の内部に金属膜を選択的に形成して埋込プラグを形成する工程とを備えた埋込プラグの形成方法において、配線金属膜上に薄い下地絶縁膜を形成する前記工程が終了した後、前記下地絶縁膜の表面をエタノールで処理し、この処理後に所定厚の前記絶縁膜を形成することを特徴とする埋込プラグの形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/90
, H01L 21/28
, H01L 21/3205
