特許

J-GLOBAL ID：200903052125880547

光電変換装置

発明者： 京田 豪 ,  菅原 信 ,  有宗 久雄
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-161267
公開番号（公開出願番号）：特開2001-345462
出願日： 2000年05月30日
公開日（公表日）： 2001年12月14日
要約：

【要約】【課題】 結晶半導体粒子を用いた光電変換装置は、特性が低く高コストになるという問題点があった。【解決手段】 基板上に第一導電形の粒状結晶半導体を多数配置し、この粒状結晶半導体上に第二導電形の半導体層を形成してpn接合部を形成し、この第二導電形の半導体層と前記基板との間に絶縁体を介在させた光電変換装置において、前記第二導電形の半導体層を結晶質と非晶質とが混在する半導体層で形成すると共に、この第二導電形の半導体層に連続して誘電体保護膜を形成した。

請求項（抜粋）：

基板上に第一導電形の粒状結晶半導体を多数配置し、この粒状結晶半導体上に第二導電形の半導体層を形成してpn接合部を形成し、この第二導電形の半導体層と前記基板との間に絶縁体を介在させた光電変換装置において、前記第二導電形の半導体層を結晶質と非晶質とが混在する半導体層で形成すると共に、この第二導電形の半導体に連続して誘電体保護膜を形成したことを特徴とする光電変換装置。

FI (2件)：

H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 B

Fターム (5件)：

5F051AA03 ,  5F051AA05 ,  5F051BA11 ,  5F051DA03 ,  5F051EA18