特許

J-GLOBAL ID：200903052134468918

パワーMOSFET

発明者： イエネ チハニ
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-076503
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007154
出願日： 1994年03月23日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】【目的】 高い逆電圧に適し、順方向では低いバルク抵抗を有するようなパワーMOSFETを形成する。【構成】 半導体に予め定められたドーピング濃度を有する第1の導電形の内部領域1と、この内部領域1及び半導体基体の表面2に接する少なくとも1つの第2の導電形のベース領域3と、ベース領域3内にそれぞれ埋設された少なくとも1つのソース領域4と、半導体基体の表面7に接する少なくとも1つのドレイン領域7とを有し、内部領域1内には逆電圧の際に広がる空間電荷領域内に第2の導電形の補助領域11を配置し、この補助領域11間に内部領域1よりも高ドーピングされた少なくとも1つの第1の導電形の補助領域12を設け、補助領域のドーピング強さ及び第2の導電形の補助領域間の間隔は逆電圧が印加されたときその電荷キャリアが空になるように設定する。

請求項（抜粋）：

半導体基体に予め定められたドーピング濃度を有する第1の導電形の内部領域と、この内部領域及び半導体基体の表面に接する少なくとも1つの第2の導電形のベース領域と、ベース領域内にそれぞれ埋設された少なくとも1つのソース領域と、半導体基体の表面に接する少なくとも1つのドレイン領域とを有するパワーMOSFETにおいて、内部領域内には逆電圧の際に広がる空間電荷領域内に第2の導電形の補助領域(11、26)が配置され、これらの補助領域の間に位置して内部領域よりも高ドーピングされた少なくとも1つの第1の導電形の補助領域(12、27)が設けられ、補助領域のドーピング強さ及び第2の導電形の補助領域の間隔は逆電圧が印加された際にその電荷キャリヤが空にされるように設定されることを特徴とするパワーMOSFET。

FI (2件)：

H01L 29/78 321 S ,  H01L 29/78 301 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-107867
  
• 特開平4-107870
  
• 特開昭56-142673
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 中国特許出願公開第1056018号明細書