半導体製造用治具

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：村上友一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-054003
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242254
出願日： 1997年02月21日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】シリコンウェハを保持する治具が、酸化・拡散プロセス等に際して必然的に付着する酸化膜や窒化膜などを洗浄する処理でドライ方式を用いた場合でも、ドライクリーニングガスによりエッチングされて減肉されることを有効に防止できるようにする。【解決手段】炭化珪素から形成された治具本体の表面に二酸化珪素被膜を形成する。この被膜は、治具本体表面に100オングストローム以上100μm以下の厚さとなるように形成する。治具本体はSi含浸型炭化珪素、常圧焼結炭化珪素、ホットプレス炭化珪素、反応焼結型炭化珪素、CVD炭化珪素被覆品、CVD炭化珪素被膜単体のいずれかから構成しておく。

請求項（抜粋）：

炭化珪素から形成された治具本体の表面に二酸化珪素被膜を形成してなることを特徴とする半導体製造用治具。

IPC (5件)：

H01L 21/68 , C04B 41/87 , H01L 21/205 , H01L 21/22 501 , H01L 21/31

FI (5件)：

H01L 21/68 N , C04B 41/87 M , H01L 21/205 , H01L 21/22 501 M , H01L 21/31 F

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭62-122212
特開昭62-122212

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