特許

J-GLOBAL ID：200903052134837026

CVD装置

発明者： 前川 和広
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-233412
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094414
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウェハー上に各種の薄膜を堆積させる場合に使用されるCVD装置に関し、成長する膜種毎に径の異なる石英チューブを用意する必要がなく、成長する膜種が変わる毎にウェハーを出し入れする必要のないCVD装置を提供する。【構成】 反応室1内に設置され、内側に複数の半導体ウェハー12が装填される筒状治具11を、筒状体を縦割りにした形状を有する少なくとも2つ以上の分割体11a、11bから構成し、これら分割体11a、11bを駆動手段により駆動して、これら分割体11a、11bによって構成される筒状治具11の内側空間を拡縮する。

請求項（抜粋）：

大気から隔離された反応室と、前記反応室内に設置され、内側に複数の半導体ウェハーが装填される筒状治具とを備えたCVD装置において、前記筒状治具は、筒状体を縦割りにした形状を有する少なくとも2つ以上の分割体により構成され、前記分割体を駆動して、前記分割体によって構成される前記筒状治具の内側空間を拡縮する駆動手段を更に備えたことを特徴とするCVD装置。