特許
J-GLOBAL ID：200903052137857818
薄膜CMOSトランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-148956
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029476
出願日： 1989年10月06日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【目的】 薄膜CMOSトランジスタの高密度化を図る。【構成】 PチャンネルMOSトランジスタ及びNチャンネルMOSトランジスタを有し、両チャンネルMOSトランジスタのソース領域及びドレイン領域の片方例えばP+ ドレイン領域27D及びN+ ソース領域28Sを互に接触するように共有してなる薄膜CMOSトランジスタにおいて、共有部30でのソース領域28Sとドレイン領域27Dの境界線31を凹凸にして構成する。
請求項（抜粋）：
PチャンネルMOSトランジスタ及びNチャンネルMOSトランジスタを有し、該両チャンネルMOSトランジスタのソース領域及びドレイン領域の片方を共有してなる薄膜CMOSトランジスタにおいて、前記共有部でのソース領域とドレイン領域の境界線が凹凸に形成されて成る薄膜CMOSトランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 27/092
, H01L 29/784
H01L 27/08 321 B
, H01L 29/78 311 C
