特許
J-GLOBAL ID：200903052142486119
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-153650
公開番号（公開出願番号）：特開平5-003183
出願日： 1991年06月26日
公開日（公表日）： 1993年01月08日
要約：
【要約】【構成】半導体基板4の上に設けたパッド電極11の上にバンプ10を形成し、保護膜12を塗布して硬化後、半導体基板4の裏面を研削し、次に、保護膜12をバンプ10が露出するまで研削する。【効果】保護膜の形成により、半導体基板の機械的強度を補強して半導体基板の厚さを薄くでき、実装状態の厚さを薄くできる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に設けたパッド電極と、前記パッド電極上に設けたバンプと、前記バンプの側面を含む表面を被覆し且つ上面を前記バンプの上面と同一平面として前記バンプの上面を露出させた保護膜とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/321
