特許

J-GLOBAL ID：200903052145810790

圧接型半導体装置

発明者： 児玉 弘則 ,  加藤 光雄 ,  沢畠 守
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-095578
公開番号（公開出願番号）：特開平10-290000
出願日： 1997年04月14日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】【課題】本発明は、圧接型半導体装置において、特に半導体素子とパッケージ電極間の熱伝導性,電気伝導性を保ちながら接触面の高さのばらつきを吸収し、均一な接触を確保する方法を提供する。【解決手段】少なくとも第一主面に第一の主電極、第二主面に第二の主電極を有する複数個の半導体チップを並置し、さらにこれらを一対の主電極板の間に組み込んだ圧接型半導体装置において、該半導体チップの主電極と共通電極板の間に導電性を有する主として有機高分子からなるシートを配置する。【効果】大面積域での均一圧接を比較的低圧力で簡単に実現することができる、すなわち接触面の高さのばらつきを十分に吸収し、かつ接触界面での熱抵抗,電気抵抗を低減できる。

請求項（抜粋）：

両面に露出する一対の共通電極板の間を絶縁性の外筒により外部絶縁した平型パッケージの中に、第一主面に少なくとも第一の主電極、第二主面に第二の主電極を有する複数個の半導体チップを並置して組み込んだ半導体装置であって、該半導体チップの主電極と共通電極板の間に導電性を有する主として有機高分子からなるシートを配置したことを特徴とする圧接型半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/74 ,  H01L 21/52 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 29/74 L ,  H01L 21/52 J ,  H01L 25/04 C ,  H01L 29/74 J ,  H01L 29/78 652 Q