特許
J-GLOBAL ID：200903052147024121
半導体量子ドット素子および該半導体量子ドット素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-016404
公開番号（公開出願番号）：特開平10-215032
出願日： 1997年01月30日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：
【要約】【課題】 積層した量子ドット構造の、サイズの揃った量子ドットのみに効率的にキャリヤ注入を行うことができる半導体量子ドット素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】 第1の半導体を備える障壁層5と、第1の半導体よりもバンドギャップが大きいかまたは等しく格子定数が異なる第2の半導体を備える量子ドット構造4とを交互に積層して、第4の構造を形成する工程と、第4の構造の上に、第1の半導体よりもバンドギャップが小さく格子定数が異なる第3の半導体を備える量子ドット構造6を形成する工程とを有する。このとき、第1の半導体をAlGaAsとして、第2の半導体をInAlAsとして、第3の半導体をInGaAsとすることができる。
請求項（抜粋）：
第1の半導体を備える障壁層と、該第1の半導体よりもバンドギャップが大きいかまたは等しく、格子定数が異なる第2の半導体を備える量子ドット構造と、該第1の半導体よりもバンドギャップが小さく、格子定数が異なる第3の半導体を備える量子ドット構造とを有し、該第1の半導体を備える障壁層と該第2の半導体を備える量子ドット構造とが交互に積層して形成された第4の構造の上に、該第3の半導体を備える量子ドット構造が形成されている、半導体量子ドット素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
前のページに戻る
