特許
J-GLOBAL ID：200903052148983670

窒化物系発光ヘテロ構造

発明者：
ギャスカ, レミジジャス

ギャスカ, レミジジャス について

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ツァン, ジャンピン

ツァン, ジャンピン について

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シャー, マイケル

シャー, マイケル について


出願人/特許権者：
センサー エレクトロニック テクノロジー インコーポレイテッド

センサー エレクトロニック テクノロジー インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 山田 行一 ,  野田 雅一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-545543
公開番号（公開出願番号）：特表2008-523623
出願日： 2005年12月05日
公開日（公表日）： 2008年07月03日
要約：
改良された窒化物系発光ヘテロ構造を提供する。窒化物系発光ヘテロ構造は、電子供給層と、正孔供給層とを含み、それらの間に光発生構造が配置される。光発生構造は、各々が傾斜組成を有するバリア層のセットと、各々が少なくとも1つのバリア層と隣接する量子井戸のセットとを含む。特性の1つ以上を改良するために、各量子井戸の厚みなどのさらなる特徴を選択し/ヘテロ構造に取り入れ得る。さらに、傾斜組成を含む1つ以上の追加層が、光発生構造の外側のヘテロ構造に含まれ得る。傾斜組成層により、電子は、光発生構造の量子井戸に入る前にエネルギーを失うことで、電子は、量子井戸でより効率的に正孔と再結合できるようになる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電子供給層と、 正孔供給層と、 前記電子供給層と前記正孔供給層との間に配置された光発生構造と を備え、前記光発生構造が、 各々が傾斜組成を含むバリア層のセットと、 各々が前記バリア層と隣接し、非輻射再結合の原因である少なくとも1つの欠陥の特性半径より小さい厚みを有する量子井戸のセットと を含む、窒化物系発光ヘテロ構造。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (8件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA21 ,  5F041CA40 ,  5F041CA60 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36
引用特許：
審査官引用 (4件)
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