特許
J-GLOBAL ID：200903052150332082
シリコン酸化膜形成法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田中 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-137807
公開番号（公開出願番号）：特開平5-308070
出願日： 1992年04月30日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：
【要約】【目的】 シリコン基板上に、シリコン酸化膜を、シリコン基板との間で原子レベルで十分平坦性を有する界面を形成しているものとして、熱酸化法によって形成する。【構成】 シリコン基板の表面に対し平坦化処理を施し、次で、その平坦化されたシリコン基板の表面上に、シリコン酸化膜を熱酸化法によって形成するが、シリコン基板の表面に対する平坦化処理を、超高真空中における、1300°C以下1100°C以上の温度での熱処理とする。
請求項（抜粋）：
予め用意されたシリコン基板の表面に対し平坦化処理を施す工程と、上記平坦化処理を施す工程によって平坦化されている上記シリコン基板の表面に、シリコン酸化膜を熱酸化法によって形成する工程とを有するシリコン酸化膜形成法において、上記平坦化処理を施す工程が、上記シリコン基板の表面に対し、超高真空中で、1300°C以下1100°C以上の温度での熱処理を施す工程を有することを特徴とするシリコン酸化膜形成法。
引用特許：
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