平坦化プロセス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-082353
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307339
出願日： 1995年04月07日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】【目的】高温度の熱処理を必要とすることなく高度に平坦な表面を有する絶縁薄膜を得るのに好適な平坦化プロセスを提供することにある。【構成】集積回路、特に不揮発性半導体メモリ装置内の高度に平坦な層間絶縁薄膜を製造する平坦化プロセスである。このプロセスは集積デバイス(M,MC1,MC2)が予め形成されている半導体基板(3)上にアンドープ酸化物の第1障壁層(12)を形成する工程と、この第1アンドープ酸化層(12)上にリン及びホウ素を含み、リンの濃度より低いホウ素の濃度を有する酸化物の第2層(13)を形成する工程と、前記第2酸化層(13)上にリン及びホウ素を含み、リンの濃度がホウ素の濃度以下である酸化物の第3層(14)を形成する工程と、前記第3酸化層(14)を溶融するのに十分な温度で熱処理を実行して平坦表面を得る工程とを具えている。

請求項（抜粋）：

集積回路、特に不揮発性半導体メモリ装置において高度に平坦な層間絶縁薄膜を製造する平坦化プロセスであって、(a)集積デバイス(M,MC1,MC2)が予め得られている半導体基板(3)上にアンドープ酸化物の第1障壁層(12)を形成する工程、(b)前記第1アンドープ酸化層(12)上にリン及びホウ素を含み、ホウ素の濃度がリンの濃度より低い酸化物の第2層(13)を形成する工程、(c)前記第2酸化層(13)上にリン及びホウ素を含む酸化物の第3層(14)を形成する工程、(d)前記第3酸化層(14)を溶融するのに十分な温度で熱処理を実行して平坦表面を得る工程、を具えることを特徴とする平坦化プロセス。

IPC (6件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/316 , H01L 21/768 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 21/88 K , H01L 21/90 M , H01L 21/90 R , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平2-250356
特開平2-125449
特開昭62-235739

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