特許
J-GLOBAL ID：200903052161879180
半導体装置および製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-168263
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021384
出願日： 1991年07月09日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 高集積化に対応可能な配線を有する半導体装置および製造方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明の半導体装置の製造方法は基体上11に設けられた絶縁膜14に溝16を形成し、この溝の内壁面に導電層17を形成し、この導電層を成長の核として導電性材料を選択的に堆積させて溝内に埋込配線部を形成する各工程を含む。導電層の形成工程はエッチバック法を用いて行う。
請求項（抜粋）：
基体上に設けられた絶縁膜に溝を形成する工程と、前記溝の内壁面に導電層を形成する工程と、前記導電層を成長の核として導電性材料を選択的に堆積させて前記溝内に埋込配線部を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/285 301
, H01L 21/28
, H01L 21/285
, H01L 21/3205
, H01L 21/90
H01L 21/88 K
, H01L 21/88 N
