特許

J-GLOBAL ID：200903052167183307

成膜方法

発明者： 重岡 隆 ,  石坂 忠大 ,  大島 康弘 ,  小島 康彦 ,  川村 剛平
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-256085
公開番号（公開出願番号）：特開2004-091874
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：

【課題】通常のALD技術に比較して成膜速度を向上できる成膜方法を提供する。【解決手段】第1、第2の反応ガスを供給する第1、第2のガス供給ステップの間に、第1の反応ガスの分圧を低下させる第1の分圧低下ステップが行われ、処理室内に第1の反応ガスが残留している状態で第2の反応ガスが供給される。第1のガス供給ステップの結果、基板上に第1の反応ガスの分子が吸着する。その後に、第2の反応ガスが供給され、基板に吸着した第1の反応ガスに第2の反応ガスが吸着し、第1、第2の反応ガスが互いに反応して基板上に膜が形成される。ここで、第2の反応ガスの供給が第1の反応ガスが残留した状態で行われることから、基板に吸着している第2の反応ガスの分子の層がその層の表裏両方で第1の反応ガスの分子と反応することが可能になり、膜の形成が促進される。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

基板を収容する処理室内に第1の反応ガスを供給する第1のガス供給ステップと、 前記第1の反応ガスが供給された前記処理室内における該第1の反応ガスの分圧を低下させる第1の分圧低下ステップと、 前記第1の反応ガスの分圧が所定分圧値以上のときに、該第1の反応ガスと異なる第2の反応ガスを供給する第2のガス供給ステップと、 を具備することを特徴とする成膜方法。

IPC (4件)：

C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/285 ,  H01L21/316

FI (4件)：

C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/285 C ,  H01L21/316 X

Fターム (26件)：

4K030AA02 ,  4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030AA24 ,  4K030BA18 ,  4K030BA38 ,  4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030KA41 ,  4M104BB25 ,  4M104BB27 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104DD45 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF04 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF36