特許
J-GLOBAL ID:200903052167265079

半導体記憶装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-044373
公開番号(公開出願番号):特開平10-242433
出願日: 1997年02月27日
公開日(公表日): 1998年09月11日
要約:
【要約】【課題】各ブロック間で電源配線や信号配線を共有することが困難であったため、無駄な空きスペースが生じ、チップ面積を十分に縮小することが困難であった。【解決手段】セル・アレイ10a,11a、ロウデコーダ12a,12b以外の回路を第1のセル・アレイ群10と、第2のセル・アレイ群11との相互間に位置する領域に配置している。したがって、各回路ブロック間で共通なアドレス信号、制御信号、及び電源を共用することが可能であるため、レイアウト面積を削減できる。
請求項(抜粋):
セルアレイの配置されているコア部内に複数のセル・アレイとロウデコーダを含む第1のセル・アレイ群と、この第1のセル・アレイ群と並行して配された第2のセル・アレイ群とを具備し、前記コア部内では、前記ロウデコーダ及びセル・アレイを除く全回路ブロックが、前記第1、第2のセル・アレイ群の相互間に位置する領域にレイアウトされることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (3件):
H01L 27/115 ,  G11C 16/04 ,  H01L 27/10 471
FI (3件):
H01L 27/10 434 ,  H01L 27/10 471 ,  G11C 17/00 625
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開平2-248070
  • 半導体集積回路装置及びその製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-064046   出願人:株式会社日立製作所, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
  • 半導体集積回路装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-022678   出願人:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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