特許

J-GLOBAL ID：200903052171346075

エレクトロルミネッセンス素子の製造方法

発明者： 長谷川 典夫 ,  中村 明
出願人/特許権者： ミツミ電機株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-303589
公開番号（公開出願番号）：特開2003-109753
出願日： 2001年09月28日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】 保護膜の付着力とガスバリア特性を向上させる。【解決手段】 透明基板11上に、陽極電極12と、有機正孔注入層13と、有機発光層14と、陰極電極15と、DLC膜16とを積層してなる有機EL素子10において、保護膜としてのDLC膜16をプラズマCVD法により成膜する際に、基板に印加するRF電力を連続的に増大させ、このDLC膜16の内部応力が膜内部から膜表面に向かうにつれて大となるように制御する。すなわち、素子の各層が形成された側のDLC膜16ほど小さい内部応力を有し、DLC膜16の表面側ほど大きな内部応力を有するようにして成膜する。

請求項（抜粋）：

基板上に薄膜形成されたエレクトロルミネッセンス素子上に、プラズマCVD法により保護膜としてのDLC(Diamond Like Carbon)膜を形成するに際して、上記DLC膜の成膜中に、上記基板に印加するRF電力を連続的に増大させ、当該DLC膜の内部応力分布が膜内部から膜表面に向かうにつれて大となるように制御することを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

IPC (5件)：

H05B 33/04 ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/511 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14

FI (5件)：

H05B 33/04 ,  C23C 16/27 ,  C23C 16/511 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A

Fターム (20件)：

3K007AB11 ,  3K007AB13 ,  3K007AB15 ,  3K007AB18 ,  3K007BB00 ,  3K007CA06 ,  3K007CB01 ,  3K007DB03 ,  3K007EA01 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  3K007FA02 ,  4K030AA09 ,  4K030BA28 ,  4K030BB12 ,  4K030CA06 ,  4K030FA02 ,  4K030HA04 ,  4K030HA14 ,  4K030JA16