特許
J-GLOBAL ID：200903052172136350
ダウンフローエッチング装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-275729
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130713
出願日： 1993年11月04日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】ラジカルにより等方性のエッチングが可能なダウンフローエッチング装置に関し、生産効率を落とさずに、エッチング部の内壁に付着する反応生成物を除去することが可能な手段を備えたダウンフローエッチング装置の提供する。【構成】エッチングガスとしてのCF4 ガス又はCF4 を含むガスがマイクロ波によりプラズマ化されるプラズマ発生部12と、ガスが通過できる穴の開いたマイクロ波遮蔽板13を介してプラズマ発生部12の下流に位置し、マイクロ波遮蔽板13をプラズマが通過することによりプラズマのうちラジカルのみが流れ込んで、ラジカルにより被エッチング体22がエッチングされるエッチング部11と、エッチング部11を囲む壁に付着した反応生成物19を除去するための酸素プラズマを発生させる酸素プラズマ発生手段20とを含み構成する。
請求項（抜粋）：
エッチングガスとしてのCF4 ガス又はCF4 を含むガスがマイクロ波によりプラズマ化されるプラズマ発生部と、ガスが通過しうる穴の開いたマイクロ波遮蔽板を介して前記プラズマ発生部の下流に位置し、前記マイクロ波遮蔽板を前記プラズマが通過することにより前記プラズマのうちラジカルのみが流れ込んで、該ラジカルにより被エッチング体がエッチングされるエッチング部と、前記エッチング部を囲む壁に付着した反応生成物を除去するための酸素プラズマを発生させる酸素プラズマ発生手段とを有するダウンフローエッチング装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/302 B
, H01L 21/302 N
