特許

J-GLOBAL ID：200903052179591966

複合半導体組成物とその製造方法

発明者： 野口 徹
出願人/特許権者： 三ツ星ベルト株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-062276
公開番号（公開出願番号）：特開平11-240722
出願日： 1998年02月25日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：

【要約】【課題】 半導体粉体の粒界に微粒子が固定された構造を持ち、電場や光などで励起された半導体粉体から粒界の微粒子に電子が流れ込むことによって複合半導体の非直線抵抗性を著しく大きくすることができる複合半導体組成物とその製造方法を提供する。【解決手段】 微粒子化した銅もしくは/そして銅酸化物とFe3 O4 、SnO2 、そしてTiO2 から選ばれた少なくとも1種の半導体粉体との焼成体からなる複合半導体組成物あり、上記半導体粉体1モルに対して銅もしくは/そして銅酸化物の微粒子0.01〜1モルが固着している。

請求項（抜粋）：

微粒子化した銅もしくは/そして銅酸化物とFe3 O4 、SnO2 、そしてTiO2 から選ばれた少なくとも1種の半導体粉体との焼成体であり、上記半導体粉体1モルに対して銅もしくは/そして銅酸化物の微粒子0.01〜1モルを固着したことを特徴とする複合半導体組成物。

IPC (10件)：

C01G 49/00 ,  B01J 23/72 ,  B01J 23/745 ,  B01J 23/835 ,  B01J 35/02 ,  C01G 19/00 ,  C01G 23/00 ,  C08K 3/08 ,  C08K 3/22 ,  C08L101/00

FI (10件)：

C01G 49/00 A ,  B01J 23/72 M ,  B01J 35/02 J ,  C01G 19/00 A ,  C01G 23/00 C ,  C08K 3/08 ,  C08K 3/22 ,  C08L101/00 ,  B01J 23/74 301 M ,  B01J 23/82 M