基板処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大坪隆司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-248850
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074079
出願日： 1995年09月01日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【課題】真空紫外線の減衰により基板に不適切な処理が行われることを未然に防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】基板処理装置1は、基板3を収納する処理室5と、基板を支持する支持ピン13と、誘電体バリア放電ランプ7を覆うランプカバー9とランプカバー9の開口部17を塞ぐ石英板19とにより構成されるランプボックス21と、窒素ガス供給源27よりランプボックス21内に窒素ガスを導入する導入口25と、窒素ガスの排出口29と、酸素濃度計33とを備える。

請求項（抜粋）：

紫外線を基板表面に照射して基板を処理する基板処理装置であって、基板を支持する支持手段と、前記支持手段に支持される基板と対向して配置された紫外線透過板を有するランプボックスと、前記ランプボックス内に収納され、前記支持手段に支持された基板に対し前記紫外線透過板を介して紫外線を照射する紫外線ランプと、基板の処理に寄与する紫外線の吸収帯がない気体を供給する気体供給手段と、前記気体供給手段より供給された気体を前記ランプボックス内に導入するための導入口と、前記導入口より導入された気体を前記ランプボックス内より排出するための排出口と、前記排出口より排出される気体または前記ランプボックス内の気体の酸素濃度を検出する酸素濃度計と、を備えたことを特徴とする基板処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 , B08B 7/00 , H01L 21/26

FI (3件)：

H01L 21/304 341 D , B08B 7/00 , H01L 21/26 L

引用特許：

出願人引用 (3件)

光励起反応装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-121658 出願人：株式会社日立製作所
表面処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-028210 出願人：株式会社日立製作所
特開平1-261830

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