特許

J-GLOBAL ID：200903052187408925

半導体装置及びその製造方法

発明者： 伊藤 親市 ,  原田 征喜 ,  上川井 良太郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-213738
公開番号（公開出願番号）：特開平6-169031
出願日： 1982年01月22日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：

【要約】【構成】 基板(1)の表裏両面に絶縁膜を形成し(2)、層間絶縁膜としてポリイミド等の比較的軟かいポリマー(4)を用いて配線層(5)を形成し、基板材料と同じ材料のICチップ(6)と前記配線とをCCB接続する。【効果】 ICチップと基板材料との熱膨張係数の差をなくすことができ、チップと基板との接続部における応力集中及び基板の反りが防止される。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の主表面及び裏面に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、第1の開孔部を有する第1の軟質ポリマー層と、前記第1の開孔部の底面、側面及び前記第1の軟質ポリマー層上に延伸して形成され、かつ前記第1の開孔部の中央部分には充填されていない第1の配線と、前記第1の開孔部とは異なる箇所において前記第1の配線と半田で電気的に接続されたICチップとを有し、前記半導体基板と前記ICチップとは同じ材料からなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/14 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12

FI (3件)：

H01L 23/14 S ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/14 R

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭54-073564