特許

J-GLOBAL ID：200903052189788784

光起電力素子の製造方法

発明者： 下田 寛嗣
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 西山 恵三 ,  内尾 裕一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-029444
公開番号（公開出願番号）：特開2004-241618
出願日： 2003年02月06日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：

【課題】光起電力素子に内在するシャント部を電解処理により除去する場合に、シャントパスを増大させることなく、確実に選択的にシャント部を除去することにより、良好な特性及び高い歩留りを有する光起電力素子の製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも基板上に裏面反射層、半導体層、及び透明電極層が順次積層された光起電力素子を電解質溶液中に浸漬し、該光起電力素子に対し順方向電圧を印加し、該光起電力素子の短絡部における前記透明電極層を還元する電解処理により、該光起電力素子の欠陥による短絡電流通路を選択的に除去する工程を有する光起電力素子の製造方法において、前記光起電力素子に印加した順方向電圧を0V乃至は前記透明電極層の還元反応が起きない順方向電圧まで降下させる際の電圧勾配△V/△tを-15〜-0.1V/sに制御することにより、シャントパスを増大させることなく、確実に選択的にシャント部を除去する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくとも基板上に裏面反射層、半導体層、及び透明電極層が順次積層された光起電力素子を電解質溶液中に浸漬し、該光起電力素子に対し順方向電圧を印加し、該光起電力素子の短絡部における前記透明電極層を還元する電解処理により、該光起電力素子の欠陥による短絡電流通路を選択的に除去する工程を有する光起電力素子の製造方法において、前記光起電力素子に印加した順方向電圧を0V乃至は前記透明電極層の還元反応が起きない順方向電圧まで降下させる工程における電圧勾配を、常に-15V/s以上とすることを特徴とする光起電力素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01L31/04

FI (1件)：

H01L31/04 M

Fターム (5件)：

5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA11 ,  5F051FA04 ,  5F051FA30