特許
J-GLOBAL ID：200903052194289630
アルミニウム段差部被覆の超音波による強化および機器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-502942
公開番号（公開出願番号）：特表平8-511656
出願日： 1994年06月15日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：
【要約】1μおよび1μ未満のバイアに充填すべく半導体基板19上にアルミニウムをスパッタ被着させる方法および機器には、バイアの適切な充填を確保するため、超音波エネルギが利用されている。アルミニウムが基板表面19上にスパッタ被着される際に、半導体がブロック17上に支持されて加熱され、25kHzを超える超音波エネルギを受ける。基板表面に沿った定常波や節点の形成を回避するためにアルミニウムが被着される際、超音波エネルギの周波数は、35〜42kHzまでに変動される。これにより、効率的で高品質なアルミニウムの付与と、半導体基板上のバイアの充填が可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体基板内のバイアを充填する方法にして、 前記半導体の第一表面上にアルミニウム膜をスパッタ被着し、かつ前記バイアを被覆する段階、および アルミニウムが被着されている前記基板の第二表面へ同時に超音波エネルギを付与する段階を含む方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/90 A
, C23C 14/34 R
, C23C 14/34 H
