特許
J-GLOBAL ID:200903052197245749

同軸誘電体共振器の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 西野 卓嗣
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-132512
公開番号(公開出願番号):特開平5-327326
出願日: 1992年05月25日
公開日(公表日): 1993年12月10日
要約:
【要約】【目的】 高周波用誘電体セラミック上に無電解メッキにより銅皮膜電極を形成してなる同軸誘電体共振器において、銅メッキ皮膜の密着力を向上させる。【構成】 高周波用誘電体セラミック上に無電解メッキにより銅皮膜電極を形成してなる同軸誘電体共振器の製造方法において、前記銅皮膜電極表面を酸化し酸化皮膜を形成するとともに、電解メッキもしくは無電解メッキにより前記酸化皮膜上にNi電極層を形成することを特徴とする。
請求項(抜粋):
高周波用誘電体セラミック上に無電解メッキにより銅皮膜電極を形成してなる同軸誘電体共振器の製造方法において、前記銅皮膜電極表面を酸化し酸化皮膜を形成するとともに、電解メッキもしくは無電解メッキにより前記酸化皮膜上にNi電極層を形成することを特徴とする同軸誘電体共振器の製造方法。
IPC (2件):
H01P 11/00 ,  H01P 7/04

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