半導体集積回路

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大日方富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-232739
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050947
出願日： 2000年08月01日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】出力端子、制御端子、共通端子を有し、制御端子と共通端子との間に与えられる制御電圧によって出力端子と共通端子間をオン/オフ操作させるとともに、その出力端子と共通端子との間に流れる電流を検出して過電流保護などの電流制御を行う半導体集積回路において、出力端子と共通端子間での電圧損失を小さくし、かつオン/オフ操作を行うためのユーザ側装置負担を軽減させるとともに、過電流保護などの電流制御動作を正確かつ安定に行わせる。【解決手段】電流制御の動作基準となる基準電圧VEを、一対のMOSトランジスタQ3,Q4のゲート・ソース間しきい値電圧の差を利用して生成するようにした。

請求項（抜粋）：

pチャネルまたはnチャネルのいずれか一方の導電型のMOSトランジスタが集積形成され、かつ出力端子、制御端子、共通端子を有する半導体集積回路であって、上記出力端子にドレイン、上記制御端子にゲート、上記共通端子にソースがそれぞれ接続されて、上記出力端子と共通端子との間に通電される電流を上記制御端子に与えられる制御電圧によって制御するパワーMOSトランジスタと、前記電流を電圧に変換する電流検出用回路と、ゲート・ソース間しきい値電圧が少なくとも等価的に異なるように形成され、かつそれぞれのドレインとゲートが互いに同電位となるように共通接続された一対のMOSトランジスタを有し、両トランジスタのドレインが共通接続され、この共通接続点が電流制限回路を介して上記制御端子に接続されることにより、各トランジスタにそれぞれ上記制御端子からドレイン電流が供給されるとともに、上記しきい値電圧が低い方のトランジスタのソースがインピーダンス回路を介して上記共通端子に接続され、かつ上記しきい値電圧が高い方のトランジスタのソースが上記共通端子に接続されることにより、上記インピーダンス回路の両端から両トランジスタのゲート・ソース間しきい値電圧の差をパラメータとする基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、上記制御端子と上記共通端子との間に与えられる制御電圧によって動作し、上記電流検出用回路から得られる電流検出電圧と上記基準電圧を比較する比較回路と、上記比較回路の比較出力を受けて上記パワーMOSトランジスタのゲート電圧を制御するゲート制御用MOSトランジスタが、同一半導体基板に形成されていることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (6件)：

H03K 17/08 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H03K 17/687 , H03K 19/003 , H03K 19/0944

FI (6件)：

H03K 17/08 C , H03K 19/003 E , H01L 27/04 B , H01L 27/04 H , H03K 17/687 A , H03K 19/094 A

Fターム (38件)：

5F038BB02 , 5F038BB03 , 5F038BB09 , 5F038EZ20 , 5J032AA02 , 5J032AA03 , 5J032AB02 , 5J032AC18 , 5J055AX34 , 5J055AX53 , 5J055AX64 , 5J055BX16 , 5J055CX07 , 5J055DX22 , 5J055DX53 , 5J055DX73 , 5J055DX83 , 5J055EX07 , 5J055EX21 , 5J055EY01 , 5J055EY21 , 5J055EZ10 , 5J055FX12 , 5J055FX17 , 5J055FX35 , 5J055GX01 , 5J055GX06 , 5J056AA00 , 5J056BB45 , 5J056CC00 , 5J056CC04 , 5J056CC14 , 5J056DD13 , 5J056DD26 , 5J056DD27 , 5J056EE03 , 5J056EE04 , 5J056FF08

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開平4-167813
基準電位発生回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-191047 出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (3件)

特開平4-167813
基準電位発生回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-191047 出願人：日本電気株式会社
特開平4-167813

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