特許
J-GLOBAL ID：200903052208048010
半導体素子におけるはんだ接合部の疲労寿命を延長させる方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大貫 進介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-031303
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243775
出願日： 2000年02月09日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：
【要約】【課題】 はんだ接合部の熱疲労寿命が延長可能なBGA半導体素子およびその形成方法を提供する。【解決手段】 BGAまたはCSP集積回路(IC)(20)を製造する際に、まずIC内で最も信頼性が低いはんだボール接合部を識別する。これら最悪の接合部、またはその近傍にある接合部のパッド寸法を変更し、堅牢な他の接合部(14)よりも多くのボール/バンプ導電性材料に露出させ、通常サイズのボールよりも大きなボール(24)を、大きな方のパッド(22)上に形成する。大きなボールを形成するには、単一のパッド上に多数の小さいボールを一緒に配置し、リフロー処理の間に1つの大きなボールを形成する。ボールの増大によって、IC設計内で最も弱い接合部の信頼性を向上させ、IC全体の信頼性向上を図る。加えて、大小双方のボールは、スタンドオフがほぼ等しくなるように設計する。
請求項（抜粋）：
素子(20)の製造方法であって:電気回路を含む基板を用意する段階であって、前記電気回路を、前記基板の表面上にある複数の導電性コンタクト領域(12,22)に結合する段階;前記複数の導電性コンタクト領域(12,22)内の第1導電性コンタクト領域(12)上に、体積Xを有する導電性材料の第1のボール(14)を用意し、前記複数の導電性コンタクト領域(12,22)内の第2導電性コンタクト領域(22)上に、体積Yを有する導電性材料の第2のボール(24)を形成する段階であって、Yが実質的にXよりも大きい、段階;から成ることを特徴とする方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 602 G
, H01L 21/92 604 H
