特許
J-GLOBAL ID：200903052209431721
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-174074
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029916
出願日： 1993年07月14日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：
【要約】【目的】 ヘテロ接合バイポーラトランジスタの高電流動作時の電流増幅率の低下を抑制し信頼性を向上させる。【構成】 GaAs基板1上に、n型不純物を含有したコレクタコンタクト層2、n型不純物を含有したコレクタ層3、p型不純物を含有したベース層4、ベース層よりも大きい禁制帯幅を有しn型不純物を含有したエミッタ層5、n型不純物を含有したエミッタコンタクト層6が順に形成されている。コレクタコンタクト層2、ベース層4、エミッタコンタクト層6の各層上にオーミック接触するコレクタ電極7、ベース電極8、エミッタ電極9が形成されている。ベース層4は、P型の不純物として炭素と同時に燐を添加することにより安定なP-H結合をつくり、ベース層4の活性化率の変動を低減させ、トランジスタの信頼性を向上させることができる。
請求項（抜粋）：
炭素と燐を含有するp型GaAsをベース層に用いることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
