パターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-182339
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036011
出願日： 1995年07月19日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【目的】フォトレジスト膜4の膜厚の増加による解像性能(最小加工可能寸法)に依存されることなく、エッチングパターン5の微細化を図る。【構成】被加工物上に、酸発生剤2が添加された化学増幅系のフォトレジスト材1を形成する工程と、フォトレジスト材1の露光領域1Aに水素陽イオン2Aを発生させ、フォトレジスト材1の露光領域1Aを水素陽イオン2Aの触媒反応で不溶化し、フォトレジスト材1の未露光領域1Bを除去し、フォトレジスト材1の露光領域2A上及び除去領域(1B)上に化学増幅系のフォトレジスト材3を形成し、フォトレジスト材1の露光領域1Aからフォトレジスト材3に水素陽イオンを拡散させ、フォトレジスト材3に水素陽イオン2Aの拡散領域3Aを形成すると共に、この拡散領域3Aを水素陽イオン2Aの触媒反応で不溶化し、フォトレジスト材3の拡散領域3Aを除くその他の領域を除去する。

請求項（抜粋）：

被加工物上のフォトレジスト膜にエッチングパターンを形成するパターン形成方法において、以下の工程(イ)乃至(ト)を備えたことを特徴とするパターン形成方法。(イ)被加工物上に、酸発生剤が添加された化学増幅系の第1フォトレジスト材を形成する工程、(ロ)露光処理を施し、前記第1フォトレジスト材の露光領域に水素陽イオンを発生させる工程、(ハ)ベーク処理を施し、前記第1フォトレジスト材の露光領域を水素陽イオンの触媒反応で不溶化する工程、(ニ)現像処理を施し、前記第1フォトレジスト材の未露光領域を除去する工程、(ホ)前記第1フォトレジスト材の露光領域上及び除去領域上に化学増幅系の第2フォトレジスト材を形成する工程、(ヘ)ベーク処理を施し、前記第1フォトレジスト材の露光領域から前記第2フォトレジスト材に水素陽イオンを拡散させ、前記第2フォトレジスト材に水素陽イオンの拡散領域を形成すると共に、この拡散領域を水素陽イオンの触媒反応で不溶化する工程、(ト)現像処理を施し、前記第2フォトレジスト材の拡散領域を除くその他の領域を除去する工程。

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