特許

J-GLOBAL ID：200903052213643210

半導体装置

発明者： 市川 幹朗 ,  小林 修
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通デバイス株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-195425
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041479
出願日： 1991年08月05日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：

【要約】【目的】電源に並列に接続されるノイズ吸収用のバイパスコンデンサを備えた半導体装置に関し、外付けバイパスコンデンサを設けないで電源のノイズを低減することを目的とする。【構成】一導電型半導体基板1の下面側に反対導電型層2を形成してpn接合容量Cを構成するとともに、直流電源3に接続される高圧用と低圧用の2つの配線4,5のうちの一方を前記反対導電型半導体層2に接続し、他方を前記一導電型半導体基板1に接続して前記pn接合容量Cに逆バイアスを印加することを含み構成する。

請求項（抜粋）：

一導電型半導体基板(1)の下面に反対導電型層(2)を形成してpn接合を構成するとともに、直流電源(3)に接続される高圧用と低圧用の2つの配線(4,5)のうちの一方を前記反対導電型半導体層(2)に接続し、他方を前記一導電型半導体基板(1)に接続して逆バイアスを印加することで、前記pn接合を容量として構成することを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-137355
  
• 特開昭55-058560