特許

J-GLOBAL ID：200903052214061002

化合物半導体基板

発明者： 坂井 久
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-303050
公開番号（公開出願番号）：特開2001-126985
出願日： 1999年10月25日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 転位密度が高く、結晶性が悪いという問題があった。【解決手段】 Si(100)単結晶基板上に化合物半導体層を形成した化合物半導体基板において、前記基板上に第1の化合物半導体層を設け、この第1の化合物半導体層上に幅が1〜10μmで厚さが0.1〜1.0μmのマスク層を前記基板の[0-11]方向に対して5°〜45°の傾きと1〜10μmの間隔をもって設け、このマスク層の間からマスク上にかけて厚さ1.0μm以上の第2の化合物半導体層を設けた。

請求項（抜粋）：

Si(100)単結晶基板上に化合物半導体層を形成した化合物半導体基板において、前記基板上に第1の化合物半導体層を設け、この第1の化合物半導体層上に幅が1〜10μmで厚さが0.1〜1.0μmのマスク層を前記基板の[0-11]方向に対して5°〜45°の傾きと1〜10μmの間隔をもって設け、このマスク層の間からマスク上にかけて厚さ1.0μm以上の第2の化合物半導体層を設けたことを特徴とする化合物半導体基板。

IPC (7件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 31/04 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323

FI (6件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 A ,  H01S 5/323 ,  H01L 29/80 B ,  H01L 31/04 E

Fターム (66件)：

5F041AA40 ,  5F041AA44 ,  5F041CA23 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045BB08 ,  5F045BB12 ,  5F045CA02 ,  5F045CA07 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA67 ,  5F045DB02 ,  5F045DB04 ,  5F045HA06 ,  5F051AA08 ,  5F051CB09 ,  5F051CB12 ,  5F051CB24 ,  5F051GA04 ,  5F051GA20 ,  5F052CA01 ,  5F052CA04 ,  5F052CA06 ,  5F052CA10 ,  5F052DA04 ,  5F052DB06 ,  5F052DB10 ,  5F052EA03 ,  5F052EA07 ,  5F052EA11 ,  5F052GA01 ,  5F052GB06 ,  5F052GB09 ,  5F052GC03 ,  5F052HA01 ,  5F052HA08 ,  5F052JA01 ,  5F052JA09 ,  5F052JA10 ,  5F052KA01 ,  5F052KA06 ,  5F073CB04 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA07 ,  5F073DA16 ,  5F073EA29 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GK00 ,  5F102GK05 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102HC00 ,  5F102HC01