半導体評価装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-319983
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162253
出願日： 1995年12月08日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】絶縁膜/半導体構造を持つ半導体素子において、該素子の電気特性に影響を与える不純物や欠陥、それらが存在する位置などについての知見を得るための評価装置を提供する。【解決手段】X線などの電磁波ビーム12の照射機構11,試料台9,ビーム照射により試料に発生した電荷を測定するための電流計22,電位差計21あるいは試料から放出される光電子16,回折X線や蛍光X線を検出するための検出器17、そして得られたデータを処理する機構18からなる。

請求項（抜粋）：

X線などの電磁波ビームを照射する機構を有し、前記ビーム照射により半導体試料内の絶縁層内で電子や正孔などの電荷を発生させ、発生電荷量、あるいは前記電荷発生に伴い現われる半導体素子の電気特性変化や試料表面の電位変化、もしくは前記ビーム照射により被検試料から放出される電子や電磁波光子の数,エネルギ,波長など、上記のうち少なくとも一項目を検出し、それらのビーム照射時間依存性より半導体試料の材料あるいは素子構造の特徴や欠陥を評価する機能を有したことを特徴とする半導体評価装置。

IPC (6件)：

H01L 21/66 , G01N 23/223 , G01N 23/227 , G01R 29/24 , G01R 31/302 , H01J 37/252

FI (7件)：

H01L 21/66 N , H01L 21/66 C , G01N 23/223 , G01N 23/227 , G01R 29/24 J , H01J 37/252 A , G01R 31/28 L

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