特許
J-GLOBAL ID：200903052215421010
単結晶の製造方法及び単結晶製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
並川 啓志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-146913
公開番号（公開出願番号）：特開平8-319189
出願日： 1995年05月23日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：
【要約】【構成】 垂直温度勾配法(VGF法)で化合物半導体単結晶を製造するにあたり、ヒーターとるつぼの間にるつぼの外周部分を取り囲むヒートパイプを設置し、このヒートパイプを徐々に上方に移動させ化合物半導体単結晶を製造方法及びその装置である。【効果】 比較的少ないゾーンの多段炉で低転位密度の単結晶を歩留まりよく育成することができる。
請求項（抜粋）：
底部に種結晶を収容しその上方に原料を充填したるつぼを加熱炉内に垂直に配置し、該原料をるつぼの周囲に配置されたヒーターで加熱し前記原料を溶融した後、該加熱炉の垂直方向の温度分布を種結晶側の温度が前記原料融液側の温度より低くなるように制御しながら、加熱炉の温度を徐々に下げながら単結晶を育成する垂直温度勾配法において、前記原料を加熱溶融するヒーターとるつぼとの間にるつぼの外周部分を取り囲むヒートパイプを設置し、加熱炉の温度を徐々に下げるとともにこのヒートパイプを徐々に上方に移動させ単結晶を育成することを特徴とする単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 11/00
, C30B 29/42
, H01L 21/208
C30B 11/00 Z
, C30B 29/42
, H01L 21/208 T
